1. 수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다.
② 8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다.
③ 10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다.
❹ 음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다.
2. 그림 ㉠∼㉣ 회로에 정현파 vi=10sin 500t[Ⅴ]가 각각 입력되었을 때, 출력전압 VP-P[V]값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) (순서대로 회로, VP-P[V])
① ㉠, 0 ② ㉡, 20
❸ ㉢, 20 ④ ㉣, 0
3. ㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
❶ 포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)
② 포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)
③ 트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)
④ 트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)
4. 다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 2πf0L≫R이다.)
① L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.
② 공진시 공진주파수는 1/2π√LC에 가깝다.
❸ 공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.
④ R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다.
5. 다음 회로에서 부하저항 RL이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항 RL에서 소비되는 최대전력[Ｗ]은?
① 8.25 ② 9.25
③ 10.25 ❹ 11.25
6. 다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압 VP[V]와 드레인－소스 전압이 10 [V]일 때의 순방향 전달 컨덕턴스 gm[mS]에 가장 가까운 값은? (순서대로 VP[V], gm[mS])
① 2, 2 ❷ 2, 5
③ 8, 2 ④ 8, 5
7. ㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
① 앙상블(ensemble) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
② 앙상블(ensemble) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
③ 에일리어싱(aliasing) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
❹ 에일리어싱(aliasing) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
8. 다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 VUTP[V]와 하측 트리거 기준 전압 VLTP[V]는? (단, +Vout(max)=+4V, -Vout(max)=-4V, 3RA=RB이다.) (순서대로 VUTP][V], VLTP[V])
❶ ＋1, －1 ② ＋1, －3
③ ＋3, －1 ④ ＋3, －3
9. 다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D－플립플롭으로 설계할 때, D－플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)
❶ DA =X＋B ② DA =A'X＋A'B＋BX
③ DA =A'X＋AB＋AB'X ④ DA =X＋AB'
10. 다음 회로의 출력전압 Vout[V]은?
① －27 ❷ 9
③ 18 ④ 27
11. 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
❶ 제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.
② 터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.
③ 쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.
④ PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다.
12. 출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은?
①
❷
③
④
13. 다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다.
② 영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.
❸ 영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.
④ 영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다.
14. 페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 절대온도 0Ｋ에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다.
② 온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.
③ 진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.
❹ 온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다.
15. 다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 [V]은? (순서대로 V1, V2)
❶ 7, 6 ② 7, 10
③ 8, 6 ④ 8, 10
16. 다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단, VBE=0.7V, βDC=150, r′e=25mV/IE이다.)
① 1.5 ❷ 2
③ 2.5 ④ 3
17. 다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps＝1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다.)
① 20 ② 40
③ 60 ❹ 80
18. 논리식 A′B(D′＋C′D)＋B(A＋A′CD)와 동일한 것은?
① AB ❷ B
③ AB＋C′ ④ A＋BC′
19. 다음 신호 f(t)를 푸리에 변환한 F(ω)는?
①
②
❸
④
20. 다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다)
① 0 3 7 1 3 7 1 3 ② 0 5 6 1 4 3 5 6
③ 0 6 5 3 2 4 6 5 ❹ 0 6 5 2 4 3 6 5
1. 2진수 11000111을 그레이 코드로 변환한 값은?
① 00100100 ❷ 10100100
③ 01001010 ④ 11001010
2. 12 [V] 배터리 용량이 48 [Ah]라고 한다. 만약 배터리가 완전 충전되어 있을 때 90 [W], 12 [V]의 전구를 연결한다면 이론적으로 전구를 켤 수 있는 최대 시간은?
① 36분 ② 60시간
③ 1시간 40분 ❹ 6시간 24분
3. 다음 JFET 증폭회로의 출력전압(vout)[mVp-p]에 가장 가까운 값은? (단, C1, C2는 결합 커패시터이고, C3는 바이패스 커패시터이다.)
① 1 ② 5
❸ 10 ④ 100
4. 다음 회로에서 입력신호 vin에 대한 전체 전압 이득 vout/vin은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)
❶ －12 ② －15
③ 15 ④ 10
5. 논리 함수 와 동일한 함수는?
①
②
❸
④
6. 전력 증폭회로 출력단의 내부 복소 임피던스가 10+j5[Ω]이다. 부하에 전달되는 전력이 최대가 되는 부하의 복소 임피던스[Ω]는?
① 10+j5 ❷ 10-j5
③ 5+j10 ④ 5-j10
7. 다음 표는 어떤 디지털 로직 함수의 4－변수 카르노 맵이다. 이 함수를 구현한 것으로 옳은 것은? (단, X는 ‘don't care’를 나타낸다.)
①
❷
③
④
8. 무왜곡 전송(distortionless transmission) 채널의 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 모든 주파수 성분에 대하여 감쇠율(혹은 증폭률)이 일정하다.
② 주파수에 대한 위상 특성이 선형적이다.
③ 출력은 입력과 동일한 형태(shape)를 유지하되 상수 배가 되고 일정 시간 지연될 수 있다.
❹ 주파수 영역에서 전달함수(transfer function)가 델타 함수이다.
9. [그림 A]의 회로를 [그림 B]의 테브난 등가회로로 변환할 때 등가전원 VthV]와 등가저항 Rth[kΩ]의 값으로 옳은 것은? (단, 부하 저항은 1 [kΩ]이다.) (순서대로 Vth, Rth)
① 6, 2.5 ② 3, 3
③ 4, 5 ❹ 6, 5
10. 다음 그래프는 특정 소자의 인가전압에 따른 커패시턴스의 저주파 특성과 고주파 특성을 나타낸 것이다. 이 그래프와 같은 특성을 갖는 소자는? (단, 축적과 공핍 상태에서는 저주파와 고주파의 특성이 같다.)
❶ n형 MOS 커패시터
② p형 MOS 커패시터
③ n＋p 다이오드 커패시터
④ p＋n 다이오드 커패시터
11. 안테나가 무선전파를 효율적으로 복사하거나 수신하기 위해서는 그 길이가 λ/4이상이 되어야 한다. 1,000 [MHz]의 무선전파를 수신하기 위한 안테나 λ/4의 길이[cm]는? (단, 빛의 속도는 3 × 108[m/s]이다)
① 5.5 ② 6.5
❸ 7.5 ④ 9.5
12. 커패시터 C[F]와 인덕터 L[H]로 이루어진 병렬 공진기의 공진 주파수 f[Hz]는?
①
②
③
❹
13. 다음 회로에 펄스가 가해질 때 △t구간에서 출력 전압의 변화율 [mV/μs]은? (단, 출력 전압의 초기치는 0 [V]이고, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다.)
❶ －50 ② 50
③ －100 ④ 100
14. 1초에 1백만 개의 심벌을 전송하는 디지털 전송시스템이 있다. 이 시스템이 전송하는 심벌이 8개의 신호레벨을 가진다면 비트 전송속도[Mbit/s]는?
① 1 ❷ 3
③ 8 ④ 256
15. 다음 회로의 출력단에 흐르는 전류 Io[mA]는? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다.)
❶ 2.2 ② 1.1
③ 0.6 ④ 0.5
16. 클럭 SR 플립플롭의 회로도와 진리표가 각각 다음과 같다. 진리표에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, X는 ‘don't care’를 나타낸다.)
① A는 Qn-1로 이전 값이 그대로 유지된다.
② B는 1 값을 갖는다.
③ C는 0 값을 갖는다.
❹ D는 1 값을 갖는다.
17. 다음 회로의 60 [Ω]에 흐르는 전류 I [A]는?
① 0.3 ② 0.2
③ 1.5 ❹ 0.25
18. 바이폴라 트랜지스터에 대한 설명으로 옳은 것은?
① 전류 증폭 이득(β)을 크게 하기 위해서는 베이스 영역의 폭을 넓혀야 한다.
② 증폭기로 이용하기에 적합한 동작 모드는 포화 모드이다.
③ 활성 모드에서 동작할 때 이미터에서 베이스로 넘어간 캐리어가 베이스 영역 내에서는 드리프트 현상에 의해 움직인다.
❹ 활성 모드에서 동작할 때 이미터에서 베이스로 넘어간 캐리어 중 일부가 재결합하는데 이것이 베이스 전류를 형성한다.
19. 다음 그림과 같이 선형 시불변 시스템 H1과 H2를 직렬로 연결한 시스템을 H라고 하자. H1 과 H2는 각각 h1(t) 와 h2(t)를 임펄스 응답으로 갖는다. 시스템 H에 x(t)를 입력으로 넣었을 때의 출력을 y(t)라고 하자. 다음 중 옳지 않은 것은?
❶ 시스템 H의 임펄스 응답은 h1(t)h2(t)이다.
② 시스템 H에서 H1과 H2의 순서를 바꾸어 연결하였을 때, 입력신호 x(t))에 대한 출력 신호는 y(t0이다.
③ 0이 아닌 상수 a에 대하여, 입력 신호 ax(t)에 대한 시스템 H의 출력 신호는 ay(t)이다.
④ 모든 상수 u에 대하여, 입력 신호 x(t-u)에 대한 시스템 H의 출력 신호는 y(t-u)이다.
20. 다음 그림에서 ㉠, ㉡상태는 실리콘(Si) 원자의 도너(donor) 에너지 준위에 전자가 존재하는 경우와 비어 있는 경우를 각각 나타낸 것이고, ㉢, ㉣상태는 억셉터(acceptor) 에너지 준위에 전자가 존재하는 경우와 비어 있는 경우를 각각 나타낸 것이다. 그림 ㉠, ㉡상태에서 도너가 갖는 전기적 극성과 ㉢, ㉣상태에서 억셉터가 갖는 전기적 극성을 각 상태별로 표현한 것 중 옳은 것은? (순서대로 ㉠, ㉡, ㉢, ㉣)
❶ 중성, ＋, －, 중성 ② ＋, ＋, －, 중성
③ 중성, －, 중성, ＋ ④ 중성, ＋, ＋, 중성
1. 다음 논리식 중 나머지 셋과 다른 하나는?
①
②
③
❹
2. 반도체의 pn 접합에서 발생하는 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 순방향 바이어스를 인가할 경우, 전위장벽(potential barrier)이 낮아진다.
❷ 역방향 바이어스를 인가할 경우, n 영역으로 확산되는 정공의 수가 증가한다.
③ 역방향 바이어스를 인가할 경우, 공핍영역은 확장한다.
④ 평형상태에서 pn 접합부에는 공핍영역이 존재한다.
3. 다음과 같은 J－K 플립플롭을 이용한 회로에서 XY 입력이 11, 10으로 순차적으로 들어갈 경우 Q의 변화는? (단, Q의 현재값은 1이다)
① 1 → 0 → 0 ② 1 → 0 → 1
❸ 1 → 1 → 0 ④ 1 → 1 → 1
4. 다음 회로에서 전체 전압이득 (vout/vin)의 절대값을 10으로 만들기 위한 저항 R1[Ω]은? (단, 전압원과 연산증폭기는 이상적이다.)
① 10 ② 15
③ 20 ❹ 25
5. 차동증폭기의 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 차동증폭기는 두 개의 입력에 함께 작용하는 잡음 성분을 제거하는 효과가 있다.
② 이상적인 차동 증폭기의 동상모드제거비(CMRR)는 ∞이다.
❸ 차동증폭기는 두 개의 입력 차이에 상관없이 출력을 일정하게 만들 수 있는 증폭기이다.
④ 차동증폭기는 2개의 트랜지스터를 대칭적으로 구성하여 회로를 설계한다.
6. 다음 카르노맵을 간략화하여 나타낸 논리식은?
❶
②
③
④
7. RL 직렬회로에서 전원 v(t)를 인가하였을 때 회로에 흐르는 전류 i(t)가 그림과 같이 측정되었다. 이 때 R[Ω] 및 L[mH]의 값으로 가장 가까운 것은? (순서대로 R, L)
① 1, 2.2 ❷ 1, 3.2
③ 1.4, 2.2 ④ 1.4, 3.2
8. 그림은 CMOS로 구성된 하나의 디지털 논리회로이다. 이 회로의 출력 Y는?
① Y=(A+B)∙C
②
❸
④ Y=(A∙B)+C
9. 다음 회로에서 정전압이 유지되는 상태에서 허용될 수 있는 최소부하저항 RL(min)[kΩ] 및 최대부하전류 IL(max)[mA]는? (단, 제너무릎전류 IZK[mA], 제너최대전류 IZM[mA], RS[kΩ]이고, 제너임피던스는 무시한다.) (순서대로 RL(min), IL(max))
❶ 1.2, 5 ② 1.2, 7
③ 1, 5 ④ 1, 7
10. 그림 (가)와 그림 (나)를 이용하여 그림 (다)의 전류값 I[A]를 구하면? (단, N은 전원을 포함한 임의의 저항회로이다)
① 0.25 ② 0.5
❸ 1 ④ 2
11. 그림은 변압기와 브리지 다이오드를 사용한 정류회로이다. 입력 신호 vin을 인가하였을 때, vx의 파형으로 옳은 것은? (단, 변압기와 다이오드들은 모두 이상적이다.)
①
②
③
❹
12. 다음 회로에서 입력전류 II와 부하전류 IL사이의 전류비(IL/II가 10이 되도록 하는 저항 R[kΩ]은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)
① 30 ② 60
❸ 90 ④ 120
13. 증가형 MOSFET에서 반전층(inversion layer)의 전하와 전기적으로 같은 극성을 가지는 것은?
① 반전층이 형성되었을 때 게이트 전극의 전하(charge)
❷ 드레인(drain) 영역의 다수 캐리어(majority carrier)
③ 소스(source) 영역의 소수 캐리어(minority carrier)
④ 기판의 다수 캐리어(majority carrier)
14. RLC회로의 공진에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 회로망의 입력단자에서 전압과 전류가 동위상일 때 회로망은 공진상태에 있다.
❷ 공진주파수는 임피던스(직렬공진) 또는 어드미턴스(병렬공진)의 위상각이 90°가 되도록 하는 주파수이다.
③ 공진시의 회로 임피던스(직렬공진) 또는 어드미턴스(병렬공진)는 순수 저항성이 된다.
④ 공진시 회로에 축적되는 총 에너지는 시간에 관계없이 일정하다.
15. 300 [Hz]에서 4,300 [Hz]까지의 주파수 대역과 신호 대 잡음비(SNR)가 255인 통신 링크에서 얻을 수 있는 최대 채널용량[kbps]은?
① 12 ② 22
❸ 32 ④ 42
16. 수정발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 수정발진기는 수정의 압전(piezoelectric) 효과를 이용한 것이다.
❷ 수정발진기는 LC 동조회로보다 Q값이 낮아 주파수 안정도가 좋다.
③ 수정의 등가회로는 직병렬 RLC회로이다.
④ 수정의 병렬공진주파수는 직렬공진주파수보다 높다.
17. 다음 전압증폭회로의 입력전압 vin과 출력전압 vout사이의 소신호 전압이득 vout/vin은?
(단, M1의 소신호 등가회로는 이다.)
① 1+gmRL
②
③
❹
18. 10초 길이의 어떤 아날로그 신호가 디지털컴퓨터에 압축 없이 저장되는 과정에서 8,000 [Hz]로 샘플링 되고, 샘플 당 8비트를 사용하여 파일로 저장된다면, 최종 저장된 파일의 크기[bits]는? (단, 아날로그에서 디지털로 변환된 데이터 이외의 부가정보는 무시한다)
❶ 640,000 ② 64,000
③ 80,000 ④ 32,000
19. 다음 BJT 증폭기의 소신호 전압 증폭률이 증가하는 경우가 아닌 것은?
❶ RE를 크게 한다.
② RC를 크게 한다.
③ R1을 작게 한다.
④ R2를 크게 한다.
20. 다음 회로에서 입력신호 vin이 가해질 때 얻어지는 출력 vout의 파형은? (단, VCC=5[V], VEE=0[V], R1=1[kΩ], R2=1[kΩ]이고, CD,on=0.7[V]이다.)
①
②
❸
④
1. 다음 회로 중에서 출력 Z가 1이 되는 회로는? (단, X ＝0, Y＝1이다.)
①
②
③
❹
2. 입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 신호의 전력[W]은?
① 0.74 ❷ 0.94
③ 7.4 ④ 9.4
3. 다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo 사이의 관계식은? (단, op-amp는 이상적이다)
❶ Vo＝3 V1 －2 V2
② Vo＝2 V1 －3 V2
③
④
4. 다음 증폭기 회로에서 C2가 추가됨에 따라 생기는 변화는?
① 출력 Vo의 DC 전압이 내려간다.
② 출력 Vo의 DC 전압이 올라간다.
③ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 감소한다.
❹ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 증가한다.
5. 다음 DTL(Diode-Transistor Logic)로 설계된 디지털 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 입력 X, Y의 논리레벨 1은 VCC＝5 V, 논리레벨 0은 0 V이다)
① AND ② OR
❸ NAND ④ NOR
6. 드레인 전류(ID)와 게이트－소스 전압(VGS)의 관계식이 ID＝9＋19(VGS－1)＋10(VGS－1)2[mA]인 N형 MOSFET에서 VGS＝1 [V]일 때, 소신호 모델 전달컨덕턴스(transconductance) [mA/V]는?
① 9 ② 10
❸ 19 ④ 29
7. 다음 회로에 입력전압이 Vi일 때 출력전압 Vo는? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적이다)
①
❷
③
④
8. 다음 중 대역통과필터 특성을 보이는 회로로만 묶은 것은?
① ㄱ, ㄷ ② ㄱ, ㄹ
③ ㄴ, ㄷ ❹ ㄴ, ㄹ
9. 공진주파수가 fo인 R, L, C 직렬회로에 주파수가 2fo인 입력신호를 인가하였을 때, 총 리액턴스 성분의 크기가 저항 R 값의 15배가 된다. 이 회로의 Qo(quality factor)는?
① 5 ❷ 10
③ 15 ④ 20
10. 입력 전압 36 [V]에 연결된 발열선의 발열량이 1 [kW]이다. 동일한 재료로 단면의 지름을 두 배로 늘리고, 길이를 반으로 줄여 만든 발열선에 동일한 전압을 인가했을 때, 발열량[kW]은?
① 4 ② 6
❸ 8 ④ 10
11. 논리식 에 대한 진리표는?
❶
②
③
④
12. 다음 D 플립플롭에서 출력 Q의 동작은? (단, D 플립플롭은 하강에지에서 동작하고 Q의 초기값은 0이다)
❶ ① ② ②
③ ③ ④ ④
13. 무선 통신에서 전송하고자 하는 신호를 변조하는 이유로 옳은 것만을 모두 고른 것은?
① ㄴ, ㄷ ② ㄱ, ㄴ, ㄷ
③ ㄱ, ㄷ, ㄹ ❹ ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ
14. 다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
❶ 선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다.
② 선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트(drift) 현상에 의한다.
③ P채널 증가형 MOSFET이다.
④ CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다.
15. PCM(Pulse Code Modulation) 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 샘플링된 신호에 이산적인 값을 할당하는 양자화와 펄스 부호로 변환하는 부호화가 필요하다.
❷ 양자화 레벨 수가 증가하면 양자화 오차가 늘어난다.
③ 디지털전송신호 방식으로 원거리통신에 중계기의 사용이 가능하다.
④ 아날로그 방식보다 잡음 및 왜곡의 영향에 강한 장점이 있다.
16. 다음은 비안정 모드로 동작하는 555 타이머 회로이다. 출력신호 Vo에 대한 듀티 사이클(duty cycle)[%]은?
❶ 60 ② 65
③ 70 ④ 75
17. 실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다)
❶ 게이트 산화막의 두께를 줄인다.
② 소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.
③ 유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.
④ 실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.
18. 다음 회로는 연산증폭기를 이용한 정전압조정기이다. 출력전압 Vo[V]는?
① 2.5 ② 4.7
❸ 5 ④ 8
19. 다음 바이어스 회로의 동작점에서 컬렉터 전류 ICQ[mA]는? (단, VBE ＝0.7 [V]이다)
① 2 ② 5
❸ 10 ④ 15
20. 다음 회로의 주파수 전달함수(Transfer Function) 는?
①
②
③
❹
1. PCM 방식에서 ㉠, ㉡의 값은? (순서대로 ㉠, ㉡)
① 10, 7 ② 10, 8
❸ 20, 7 ④ 20, 8
2. BJT와 MOSFET을 비교한 설명으로 옳지 않은 것은?
① MOSFET은 다수캐리어의 이동에 의하여 동작 특성이 결정되므로 단극성(unipolar) 소자이다.
② BJT에 비해 MOSFET은 입력 임피던스 값이 매우 커서 입력 전류의 크기가 매우 작다.
❸ BJT에 비해 MOSFET은 속도가 빠르므로 고속 회로 설계에 더 적합하다.
④ BJT에 비해 MOSFET은 단위소자 면적을 줄일 수 있어서 고밀도 집적회로 설계가 가능하다.
3. 다음 파형을 상승에지 트리거 J－K 플립플롭에 인가하였을 때, 시간 t ＝t1, t2, t3, t4에서의 출력 Q를 차례대로 바르게 나열한 것은? (단, Q는 t ＝t0에서 1로 초기화되어 있으며, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다)
① 0, 1, 0, 1 ② 0, 0, 1, 1
❸ 0, 1, 1, 1 ④ 1, 0, 1, 0
4. 다음 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
❶ 제너 다이오드(Zener diode)는 순방향 바이어스에서의 제너 항복현상에 의해서 일정한 전압을 공급한다.
② 발광 다이오드(light-emitting diode)는 순방향 바이어스 상태에서 전류가 인가되면 빛을 방출한다.
③ PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스를 인가하면 PN접합부의 공핍층이 늘어난다.
④ 광수신 다이오드(photo diode)는 역방향 바이어스 상태에서 빛이 인가되면 전류를 발생시킨다.
5. FM 방송에서 FM 변조 전에 프리엠퍼시스 필터를 사용하고 수신측에서는 디엠퍼시스 필터를 사용하는 이유는?
❶ 수신단 출력 잡음의 고주파 성분을 줄이기 위해
② 비선형 양자화를 위해
③ 스테레오 방송을 가능하게 하기 위해
④ 페이딩 현상을 방지하기 위해
6. 그림과 같은 임펄스 응답 h [n]을 갖는 선형 시불변 이산시스템에서 입력신호 x [n]에 대한 출력신호를 y [n]이라고 할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, h [0]＝1, h [1]＝－1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 h [n]＝0이다)
① x [n]이 n＝0에서는 1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 0이라면, y [1]＝－1이다.
② 모든n에 대하여x [n]＝1이라면, 모든n에 대하여 y [n]＝0이다.
③ 입력신호 x [n－2]에 대한 출력신호는 y [n－2]이다.
❹ y [n]은 x [n＋1]의 영향을 받는다.
7. 다음 차동증폭기 회로에서 입력 임피던스 Zin[kΩ]과 출력전압 Vout[mV]는? (단, BJT는 서로 동일하고, BJT의 전류 이득 βac＝100와 교류 이미터 저항 r'e＝25 [Ω]이다. RE ≫r'e이고 BJT가 활성영역에서 동작한다고 가정한다) (순서대로 Zin, Vout)
① 2.5, 100 ❷ 5, 100
③ 2.5, 200 ④ 5, 200
8. 다음 반전증폭기 회로에서 고역 차단주파수[kHz]는? (단, 연산 증폭기 자체의 중간영역 개방루프 전압이득은 100 [dB]이고 고역 차단주파수는 10 [Hz]이다.)
① 1 ❷ 10
③ 50 ④ 100
9. 다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL[Ω]은?
① 6 ② 8
③ 10 ❹ 12
10. 다음 스위칭 전원 회로에서 주기 T마다 듀티싸이클 D의 비율만큼 스위치가 닫힐 때, 정상상태의 출력전압 Vout[V]는? (단, VS＝1 [V], L ＝1 [mH], D ＝0.5, T＝10 [㎲], R ＝50 [Ω], C는 출력전압이 일정하도록 충분히 크고, 다이오드 및 스위치는 이상적이며, 인덕터 전류는 연속이라고 가정한다.)
① 0.25 ② 0.5
③ 1 ❹ 2
11. 다음 CMOS 논리회로에서 입력 A ＝1, B ＝1, C ＝0일 때 출력 Y＝ Y1이라고 하고 입력 A ＝0, B ＝1, C ＝1일 때 출력 Y＝ Y2라고 할 때, Y1과 Y2는? (순서대로 Y1, Y2)
① 1, 1 ❷ 1, 0
③ 0, 1 ④ 0, 0
12. 다음 BJT 공통컬렉터 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 이 증폭기는 중간주파수대역에서 동작하고 있다고 가정한다)
① 전압 이득(Vout/Vin)은 1에 가깝다.
② 높은 입력저항 특성을 가지고 있어 버퍼 역할을 할 수 있다.
③ 커패시터 C1, C2는 직류신호를 차단하는 데 사용된다.
❹ 출력신호는 입력신호와 180도의 위상차가 난다.
13. 다음 발진기 블록 다이어그램에서, 정상상태의 발진을 만들기 위해 필요한 반전증폭기의 이득 A와 위상변이증폭기의 위상 변이 θ[°]는? (순서대로 A, θ)
① 1, 0 ② 1, 180
③ 10, 0 ❹ 100, 180
14. 증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
① 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
❷ 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
③ 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
④ 드레인－소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
15. 다음 회로에서 저항 8 [kΩ]의 양단에 걸리는 전압 VL [V]는?
❶ －8 ② －4
③ 4 ④ 8
16. 다음 차단주파수가 fc인 2극 능동 필터 회로에서 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때, 주파수 응답특성의 변화로 옳은 것은? (단, 점선은 다음 회로의 주파수 응답특성이고 실선은 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때의 주파수 응답특성이다. 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)
①
②
❸
④
17. 다음 회로에서 출력 F의 논리식은?
① 1
❷ C+D
③
④
18. 다음 논리식 F와 동일한 논리식은?
① Z+XY
②
③
❹ Y+XZ
19. 다음 MOSFET 공통소스 증폭기 회로에서 M1이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, M1의 전달컨덕턴스 gm ＝200[mS], 소신호 출력저항 ro＝10[kΩ]이고 RD＝10[kΩ] 이다.)
① M1의 드레인－소스 전압 VDS는 VOV(＝VGS－Vt, Vt는 문턱 전압)보다 작다.
② 증폭기 출력저항 Rout ＝10 [kΩ]이다.
❸ M1의 얼리전압(Early voltage) VA＝20 [V]이라면 드레인전류 ID ＝2 [mA]이다.
④ 증폭기 전압이득 Av＝30 [dB]이다.
20. 다음 증폭회로에서 입력 전류원 Is ＝2 [mA]일 때, 출력전압 Vout [V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다.)
① 1 ② 2
③ 4 ❹ 6
1. 이상적인 연산증폭기의 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 반전 입력단자와 비반전 입력단자 사이의 입력측 저항은 무한대이다.
② 출력단자와 접지면 사이에서 출력측 저항은 0이다.
❸ 전류이득의 크기는 무한대이다.
④ 주파수 대역폭이 무한대이다.
2. PN 접합 다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?
① 순방향 바이어스가 인가되면 공핍영역 폭이 넓어진다.
② 순방향 바이어스가 인가되면 P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
❸ 역방향 바이어스가 증가하면 접합부 정전용량은 작아진다.
④ 역방향 바이어스가 증가하면 공핍영역의 양이온과 음이온 사이에 발생하는 전계의 세기는 감소한다.
3. 다음 회로에서 출력전압 Vout[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다.)
❶ －1 ② 0
③ 1 ④ 2
4. 다음 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q1의 컬렉터－이미터 전압 VCE[V]는? (단, βDC ＝100, VBE ＝0.7 [V]이다)
① 1.5 ❷ 2
③ 2.5 ④ 3
5. 귀환발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 초기 트리거 신호가 주어진 후 외부 입력신호가 지속적으로 인가되지 않더라도 특정 주파수를 갖는 파형을 만들어내는 회로이다.
② 특정 주파수에서 발진이 지속적으로 유지되기 위해서는 폐귀환 루프이득(loop gain)의 크기가 1이고, 루프의 위상변이(phase shift)가 0°이어야 한다.
③ RC 귀환발진기와 LC 귀환발진기는 모두 정현파(sinusoidal waveform)를 만들 수 있다.
❹ 귀환발진기 회로의 양호도(Q factor)는 파형 크기의 안정성(amplitude stability)을 나타낸다.
6. 다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
② 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
❸ 전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
④ 드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.
7. 다음 디지털 논리게이트에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, VDD＝ ＋5 [V]이고, 입력과 출력은 논리적 ‘1’일 때 V＝＋5 [V], ‘0’일 때 V＝0 [V]이다)
① 두 개의 NMOS로 구성된 OR 게이트
② 두 개의 PMOS로 구성된 NOR 게이트
❸ 두 입력 A와 B가 모두 논리적 ‘0’일 때만 출력 ‘1’을 만족하는 NOR 게이트
④ 두 입력 A와 B가 모두 논리적 ‘1’일 때만 출력 ‘0’을 만족하는 NAND 게이트
8. 다음 JFET 증폭회로의 전압이득의 크기는? (단, 트랜지스터 자체의 출력저항 ro는 무시한다.)
① 8 ❷ 16
③ 32 ④ 48
9. 다음 회로의 전달함수가 인 조건을 만족하는 C[㎌]은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, Rin ＝R ＝ 100 [ kΩ]이다)
① 1 ❷ 2
③ 4 ④ 5
10. 다음 디지털 논리회로에서 출력 Y＝A＋B라고 할 때, P3P2P1P0의 값은?
① 1001 ② 1011
❸ 1110 ④ 1101
11. 실효전압 10 [V]의 교류전원에 8 [Ω]의 저항과 6 [Ω]의 유도 리액턴스를 직렬로 연결할 때, 유효전력[W]와 역률은? (순서대로 유효전력, 역률_
① 6, 0.6 ② 6, 0.8
③ 8, 0.6 ❹ 8, 0.8
12. 상승 에지에서 트리거 되는 D－플립플롭으로 구성된 다음 회로에서 120 [kHz]의 클록이 입력 A에 인가될 때, 출력 B의 주파수[kHz]는? (단, 플립플롭의 전파지연 시간은 무시한다)
❶ 15 ② 40
③ 120 ④ 360
13. 다음 정류기(rectifier)에 대한 설명 중 옳은 것은?
① 출력되는 파형은 음의 값을 갖는다.
② 다이오드 브리지회로를 통과한 파형의 주파수는 입력주파수보다 낮다.
③ 입력신호의 반주기마다 신호를 출력하는 반파정류기(half-wave rectifier)이다.
❹ 부하저항 RL에 커패시터 C 가 병렬로 추가됨으로써 정류된 파형의 변동을 줄여 준다.
14. 다음 회로에서 출력전압 Vout[V]는?
① 5 ❷ 7.5
③ 10 ④ 12.5
15. 그림과 같은 선형 시불변 시스템 H1, H2, H3가 각각 임펄스 응답함수 h1(t), h2(t), h3(t)를 갖는다고 할 때, 점선으로 표시한 등가시스템 H에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 시스템 H의 특성은 시간에 상관없이 일정한 특성을 나타낸다.
❷ 시스템 H의 임펄스 응답은 h1(t)h2(t)＋h3(t)이다.
③ 시스템 H에 입력신호 x(t －a)를 인가하였을 때 어떠한 상수 a에 대해서도 출력은 y(t －a)로 나타난다.
④ 시스템 H에 입력신호를 bx(t)로 인가하였을 때 어떠한 상수 b에 대해서도 출력은 by(t)로 나타난다.
16. 다음 회로의 기능과 커패시터 C 의 역할을 바르게 연결한 것은? (순서대로 기능, C의 역할)
❶ AM(Amplitude Modulation), 직류 차단
② AM(Amplitude Modulation), 고주파 신호 차단
③ FM(Frequency Modulation), 고주파 신호 차단
④ FM(Frequency Modulation), 직류 차단
17. PNP BJT소자가 활성영역에서 동작할 때, 베이스에 흐르는 전류(IB)를 구성하는 성분에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
❶ 이미터와 컬렉터에서 넘어온 전자들로 베이스의 남는 잉여전자를 방출하기 위한 전자에 의한 전류
② 이미터 접합에 가해진 순방향 전압에 의해 베이스에서 이미터로 주입되는 전자에 의한 전류
③ 베이스 중성영역을 확산에 의해 통과하는 동안 손실된 재결합 전류로서 베이스 단자에서 주입되는 전자에 의한 전류
④ 컬렉터 공핍영역 내에서 열생성된 전자가 전계에 의해 드리프트(drift)되어 베이스로 공급되는 전자에 의한 전류
18. 선형 시불변 시스템의 라플라스 영역 전달함수가 이고 다음과 같은 가 입력신호로 인가될 때, 출력신호 y(t)로 옳은 것은? (단, 입력신호는 0초 이전부터 계속 인가되고 있다)
❶
②
③
④
19. 다음 그림 (가)의 회로에 그림 (나)의 신호가 인가될 때, 출력 Vout은? (단, 연산증폭기는 이상적이며 초기 Vout ＝10 [V]이다)
①
②
❸
④
20. 다음 중 출력 Y의 논리식이 같은 논리회로만을 모두 고르면?
① ㄱ, ㄴ ② ㄱ, ㄴ, ㄷ
③ ㄱ, ㄷ, ㄹ ❹ ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ